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上大科技
例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

無錫硅動力推出國內首款PD18W充電器方案,SP6648HF,內置MOS,貼片封裝

作者:上大科技發布日期:2021-05-24瀏覽人數:

一、概述 
       SP6648HF是一顆電流模式PWM控制芯片,內置 650V高壓功率MOSFET,應用于功率在18W以

內的方案。

       SP6648HF在 PWM模式下工作于固定開關頻率,這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時,工作頻率由IC 內部調整。芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時的損耗,提高整機的工作效率。

       SP6648HF在啟動和工作時只需要很小的電流,可以在啟動電路中使用一個很大的電阻,以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路,當電路工作于大占空比時,避免次諧波振蕩的發生,改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時(Leading-edge blanking time),消除緩沖網絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。

       SP6648HF采用了抖頻技術,能夠有效改善系統的 EMI性能。系統的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上,在工作時可以避免系統產生噪音。

       SP6648HF內置多種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(VDD OVP), VDD 過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的EMI特性和開關的軟啟動控制。 

二、特點 
       ?  全電壓范圍(90Vac-265Vac)輸入時待機功耗小于 100mW 
       ?  內置650V 高壓功率管 
       ?  4ms軟啟動用來減少MOSFET 上Vds的應力 
       ?  抖頻功能,改善EMI性能 
       ?  跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗 
       ?  無噪聲工作 
       ?  固定65KHz開關頻率 
       ?  內置同步斜坡補償 
       ?  低啟動電流,低工作電流 
       ?  內置前沿消隱(LEB)功能 
       ?  過載保護(OLP),逐周期限流保護(OCP) 
       ?  VDD 過壓保護(VDD OVP) ,欠壓保護(UVLO),VDD 電壓箝位 
       ?  過溫保護(OTP) 

       ?  SOP8 無鉛封裝 

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