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上大科技
例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626

CS5230EA,內置電容升壓模塊,固定28倍增益,AB/D切換,防破音,5.2W單聲道GF類音頻功放IC

作者:上大科技發布日期:2020-06-10瀏覽人數:

CS5230EA,內置電容升壓模塊,固定28倍增益,AB/D切換,防破音,5.2W單聲道GF類音頻功放IC

概要

     CS5230EA是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類誕生的音頻功放,可以為4Ω的負載提供最高5W的連續功率,CS5230EA內部固定的28倍增益,有效的減少了外圍元器件的數量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式,即可保證D類模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在FM的情況下,消除功放對系統的干擾;CS5230EA具有獨特的防破音(NCN)功能,可根據輸出信號的大小自動調整功放的增益,實現更加舒適的聽覺感受。

      CS5230EA的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動式音頻設備中,CS5230EA是理想的音頻子系統的功放解決方案。CS5230EA的全差分架構和極高的PSRR有效的提高了CS5230EA對RF噪聲的抑制能力。另外CS5230EA內置了過流保護和過熱保護,有效的保護芯片在異常的工作條件下不被破壞。

      CS5230EA提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

特征

      集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式

GF類音頻功放

       輸出功率

            Po at VABT= 5.0V,RL =  4Ω+33uH

                  THD+N=10%     5.2W(NCN OFF@D MODE)

                   THD+N=1%        4.3W(NCN OFF@D MODE

            Po at VABT= 4.2V,RL =  4Ω+33uH

                  THD+N=10%     4.8W(NCN OFF@D MODE)

                   THD+N=1%        4.1W(NCN OFF@D MODE)

            Po at VABT= 3.6V,RL =  4Ω+33uH


                  THD+N=10%     3.45W(NCN OFF@D MODE)

                   THD+N=1%        3.0W(NCN OFF@D MODE)

     輸入電壓范圍:2.7~5.5V

     關斷電流:<1uA

      待機電流:15mA

      D類調制頻率:300KHz

      防破音模式開關

      AERC專利技術,提供有益的全帶寬EMI抑制能力

      有益的“噼噗-咔嗒”(pop-noise)雜音 抑制能力

      高的電源抑制比(PSRR):在217Hz下為-80dB

       過溫保護     過壓保護

應用

     藍牙音箱

     便攜式音頻設備

封裝

    ESOP10 


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